点状光电二极管
Micro Dot Photodiode
点状扩散光电二极管（Micro Dot Photodiode）是一种将受光部分割为微小点状二极管结的全新结构光电二极管。
这是曾获“中小企业优秀新技术、新产品奖”“京都中小企业技术大奖 优秀技术奖”的独创技术，微小扩散光电二极管技术还入选了市村清新技术财团的资助项目。获奖详情请参阅获奖历史页面。
特点
- 将受光部分割为微小点状二极管结的独创结构
- 在1mm见方光电二极管的比较中，将端子间电容从20pF（传统PD）降至4pF
- 二极管结面积相对于传统PD的1mm²，仅为0.002mm²（0.4μm²×5K个）
Technology
结构与技术
在1mm见方光电二极管的比较中，传统PD为全面二极管结（1mm²）、端子间电容20pF；而点状PD的结面积为0.002mm²（0.4μm²×5K个）、端子间电容为4pF。除受光部的低电容化之外，还通过设有屏蔽用布线的新开发屏蔽结构，降低了杂散噪声。
Media
媒体报道
DOTPD技术曾在京都府产业支援中心的商务信息杂志《Creative Kyoto M&T》2021年1月号（No.165）中获得介绍。
我们还公开了DOTPD技术的介绍视频。介绍视频可在YouTube（Micro Dot Photo Diode IC 介绍视频）上观看。部分地区可能无法访问该视频网站。
产品宣传单（性能摘要）
- 相同灵敏度下，极限速度提高5倍以上（与本公司产品比较）
- 相同速度下，极限灵敏度提高5倍以上
- 单位带宽的S/N（信噪比）提高2.2倍以上（本公司实测）
- 受光元件的寄生电容为传统产品的1/10以下。还可内置电磁屏蔽
- 即使与以低电容著称的PIN光电二极管型IC相比，电容也仅为其1/3左右的超低电容（无屏蔽品）
※数值基于产品宣传单“内置屏蔽低电容点状受光IC”的记载。
Applications
用途
- 要求高灵敏度的受光IC（作为超低电容光电二极管应用于各类受光IC）