技术与研发

Technology


Fabless Development

无晶圆厂开发体制

Microsignal公司是一家不设自有工厂、专注于受光IC设计与开发的无晶圆厂(Fabless)半导体制造商。我们最大限度发挥外包的优势,以日本国内外的大型半导体厂商为代工厂,能够为每个应用选择最合适的制造工艺。

此外,凭借独有的管理方法实现小批量生产,也便于支持研究开发用途。小批量起步的全定制受光IC,正是大型厂商难以做到、而我们的体制得以实现的开发模式。

通过兼顾高速与高灵敏度的单片集成光IC技术,我们开发出高性能且价格合理的器件。在短距离光纤通信领域,我们向通信相关厂商供应世界顶级水平的高性能收发器件。

主要半导体工艺
工艺工艺尺寸
CMOS0.15μm〜
BiCMOS0.25μm〜
Bipolar0.25μm〜
Mixed Signal0.15μm〜

注:“世界顶级水平”等表述基于现行网站的记载。将在核实依据资料后最终确定。

Core Technology

独创技术:点状光电二极管

本公司独创的光电二极管结构“点状扩散光电二极管”,是一项使受光元件的电容远低于其他公司产品、从而实现高灵敏度与高S/N的技术。其基本专利已于2017年在美国、2018年在日本获得授权。

通过该结构与屏蔽结构的组合,我们确认了在相同灵敏度下极限速度提高5倍以上、S/N比提高2.2倍以上(均为本公司实测)的性能。

传统PD与点状PD的结构比较图。在1mm见方的光电二极管中,传统PD全面为二极管结、端子间电容20pF;点状PD二极管面积0.002平方毫米、端子间电容4pF
点状PD结构:相对于将受光部全面作为二极管结的传统PD,点状PD将结分割为微细的点。在1mm见方光电二极管的比较中,端子间电容从传统PD的20pF大幅降低至点状PD的4pF(本公司资料)。
点状光电二极管的3D结构CG。硅基板上方布有布线,其下方微细的二极管结规则排列
点状PD的3D结构CG:微细的二极管结(点)在布线下方规则排列,受光部的大部分保持硅基板原状的结构。
新开发屏蔽结构的截面图。在SiO2膜上设置屏蔽用铝布线与阴极布线,并将P衬底的N扩散接地
新开发的屏蔽结构:设置屏蔽用铝布线以降低杂散噪声。无需外部屏蔽,实现抗外部电磁噪声的受光IC。

※性能值(极限速度、S/N比)为基于本公司实测(产品宣传单记载)的数值。

Spectral Sensitivity

感光波长范围

我们承接从可见光到近红外的宽波长范围受光IC。可对应的波长范围因产品与工艺而异,具体规格请与我们个别商谈。

Development & Evaluation

开发与评估系统

我们承担从LSI的设计开发到所制作LSI的测量与评估的全部工作。设计中使用电路仿真工具(CADENCE、HSPICE、SPECTRE、PSPICE)以及CADENCE公司的LSI开发系统(电路验证、掩模版图、设计规则检查)。

测量评估系统与光学计测系统的主要设备包括:示波器、网络分析仪、误码率测试仪、光谱分析仪、激光光源、激光修调机、探针台、引线键合机、环境试验箱、E/O转换器、O/E转换器、光学平台等。

光学平台上的光学测定与评估
光学平台上的光学测定与评估

与光相关的课题,欢迎随时咨询。


即使规格尚未确定也没有关系。我们将与您一起,从受光系统的整体设计开始探讨。