Dot Photo Diode

Micro Dot Photodiode

Die Dot-Diffusions-Fotodiode (Micro Dot Photodiode) ist eine Fotodiode mit völlig neuer Struktur, deren Empfangsbereich in mikroskopisch kleine, punktförmige Diodenübergänge aufgeteilt ist.

Diese eigene Technologie wurde mit dem Excellent New Technology/New Product Award und dem Excellent Technology Award des Kyoto Technology Grand Prize ausgezeichnet; die Mikro-Diffusions-Fotodiodentechnologie wurde zudem für das Förderprogramm der New Technology Development Foundation (Ichimura-Stiftung) ausgewählt. Einzelheiten zu den Auszeichnungen finden Sie auf der Seite Auszeichnungen.

Merkmale

Eigene Struktur, bei der der Empfangsbereich in mikroskopisch kleine, punktförmige Diodenübergänge aufgeteilt ist
Im Vergleich von Fotodioden mit 1 mm Kantenlänge sinkt die Anschlusskapazität von 20 pF (herkömmliche PD) auf 4 pF
Diodenübergangsfläche von 0,002 mm² (0,4 μm² × 5K Stück) gegenüber 1 mm² bei der herkömmlichen PD

Strukturvergleich zwischen herkömmlicher PD und Dot-PD. Bei einer Fotodiode mit 1 mm Kantenlänge ist bei der herkömmlichen PD die gesamte Fläche ein Diodenübergang mit 20 pF Anschlusskapazität, während die Dot-PD mit 0,002 mm² Übergangsfläche auf 4 pF Anschlusskapazität kommt — Strukturvergleich zwischen herkömmlicher PD und Dot-PD

Technology

Struktur und Technologie

Im Vergleich von Fotodioden mit 1 mm Kantenlänge hat die herkömmliche PD einen vollflächigen Diodenübergang (1 mm²) mit 20 pF Anschlusskapazität, während die Dot-PD eine Übergangsfläche von 0,002 mm² (0,4 μm² × 5K Stück) und 4 pF Anschlusskapazität aufweist. Zusätzlich zur niedrigen Kapazität des Empfangsbereichs reduziert die neu entwickelte Abschirmstruktur mit eigener Abschirmverdrahtung das Störrauschen.

Querschnitt der neu entwickelten Abschirmstruktur. Eine Abschirmverdrahtung aus Aluminium reduziert das Störrauschen — Neu entwickelte Abschirmstruktur: Abschirmverdrahtung zur Reduzierung des Störrauschens

Media

Veröffentlichungen

Die DOTPD-Technologie wurde in der Ausgabe Januar 2021 (No. 165) der Wirtschaftszeitschrift „Creative Kyoto M&T“ des Kyoto Industrial Support Center vorgestellt.

Seite aus der Ausgabe Januar 2021 von Creative Kyoto M&T — Creative Kyoto M&T, Ausgabe Januar 2021 (Kyoto Industrial Support Center)

Ein Video zur DOTPD-Technologie ist ebenfalls verfügbar.

Produktflyer (Leistungsübersicht)

Bei gleicher Empfindlichkeit mehr als 5-fache Grenzgeschwindigkeit (Vergleich mit eigenen Produkten)
Bei gleicher Geschwindigkeit mehr als 5-fache Grenzempfindlichkeit
Mehr als 2,2-faches S/N-Verhältnis pro Bandbreite (eigene Messung)
Parasitäre Kapazität des Fotodetektor-Elements auf 1/10 oder weniger gegenüber herkömmlichen Lösungen reduziert; elektromagnetische Abschirmung integrierbar
Auch im Vergleich zu ICs mit PIN-Fotodioden, die für ihre niedrige Kapazität bekannt sind, nur etwa 1/3 der Kapazität (Ausführung ohne Abschirmung)

Hinweis: Die Zahlenwerte basieren auf den Angaben im Produktflyer „Dot-Fotodetektor-IC mit niedriger Kapazität und integrierter Abschirmung“.

Applications

Anwendungen

Fotodetektor-ICs mit hohen Empfindlichkeitsanforderungen (als Fotodiode mit ultraniedriger Kapazität in verschiedenen Foto-ICs eingesetzt)

Wenn es um Licht geht, sprechen Sie mit uns.

Ihre Spezifikationen müssen noch nicht final sein. Wir erarbeiten mit Ihnen das Design des gesamten optischen Empfangssystems.

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