技術・研究開発

Technology


Fabless Development

ファブレス開発体制

マイクロシグナルは自社工場を持たない、受光ICの設計・開発に特化したファブレス半導体メーカーです。アウトソーシングのメリットを最大限に活かし、国内外の大手半導体メーカーをファンドリーとして、アプリケーションに最適の製造プロセスを選択できます。

また、独自の管理手法により少量生産を可能とし、研究開発への対応も容易にしています。少量からのフルカスタム受光ICという、大手にはできない開発を可能にする体制です。

高速・高感度を両立したモノリシック光IC技術により、高性能かつ安価なデバイスを開発しています。短距離光ファイバー通信の分野では、世界トップレベルの高性能な送受信デバイスを通信関連メーカー様に供給しています。

主要半導体プロセス
プロセス微細度
CMOS0.15μm~
BiCMOS0.25μm~
Bipolar0.25μm~
Mixed Signal0.15μm~

※「世界トップレベル」等の表現は現行サイトの記載に基づきます。根拠資料を確認のうえ最終調整します。

Core Technology

独自技術:ドットフォトダイオード

当社独自のフォトダイオード構造「ドット拡散フォトダイオード」は、受光素子を他社製品に比べ超低容量化し、高感度化や高S/Nを実現する技術です。基本特許は2017年に米国、2018年に日本で取得しています。

この構造とシールド構造の組み合わせにより、同一感度なら限界速度5倍以上、S/N比2.2倍以上(いずれも当社実測)という性能を確認しています。

従来PDとドットPDの構造比較図。1mm角のフォトダイオードで、従来PDは全面がダイオード接合で端子間容量20pF、ドットPDはダイオード面積0.002平方ミリメートルで端子間容量4pF
ドットPD構造:受光部全面をダイオード接合とする従来PDに対し、ドットPDは接合を微細なドットに分割します。1mm角のフォトダイオードでの比較では、端子間容量は従来PDの20pFに対しドットPDは4pFと、大幅に低容量化します(当社資料)。
ドットフォトダイオードの3D構造CG。シリコン基板の上に配線が走り、その下に微細なダイオード接合が規則的に並ぶ
ドットPDの3D構造CG:微細なダイオード接合(ドット)は配線の下に規則的に並び、受光部の大部分はシリコン基板のままとなる構造です。
新開発のシールド構造の断面図。SiO2膜の上にシールド用アルミ配線とカソード配線を設け、PサブストレートのN拡散を接地する
新開発のシールド構造:シールド用アルミ配線を設けてスプリアス雑音を低減します。外部シールドが不要で、外部の電磁ノイズに強い受光ICを実現します。

※性能値(限界速度・S/N比)は当社実測(製品チラシ記載)に基づく数値です。

Spectral Sensitivity

感度波長域

可視光から近赤外まで、幅広い波長域の受光ICを手がけています。対応可能な波長域は製品・プロセスにより異なりますので、具体的な仕様は個別にご相談ください。

Development & Evaluation

開発・評価システム

LSIの設計開発から、製作したLSIの測定・評価までを行います。設計には回路シミュレーション(CADENCE、HSPICE、SPECTRE、PSPICE)と、CADENCE社のLSI開発システム(回路検証、マスクレイアウト、デザインルールチェック)を使用しています。

測定評価システム・光学計測システムの主要設備として、オシロスコープ、ネットワークアナライザ、ビットエラーレートテスタ、光スペクトラムアナライザ、レーザー光源、レーザートリマ、プローバ、ワイヤーボンダー、環境試験器、E/O変換器、O/E変換器、光ベンチなどを備えています。

光学定盤での光学測定・評価
光学定盤での光学測定・評価

光のことなら、まず相談を。


仕様が固まっていない段階でも構いません。受光系の設計ごと、一緒に考えます。