Encoder Photo IC
Photo IC for Optical Encoder
Ein neuartiger Encoder Photo IC mit integrierter Vervielfachungsschaltung (Photo IC für optische Encoder) im 0,25-μm-BiCMOS-Prozess.
Durch die Integration von Fotodetektor-Element, Verstärkerschaltung und Vervielfachungsschaltung auf einem Chip wurden kompakte Bauform und geringer Stromverbrauch erreicht.
Merkmale
- Beliebige Grundauflösung innerhalb der Ober- und Untergrenze mit demselben IC möglich (EC1 bis EC4)
- Der Standardtyp unterstützt beliebige Auflösungen über eine feste Maske (EC5)
- ×1/×2/×4/×8-Vervielfachung (über externe Pins umschaltbar), maximale Auflösung 2400 ppr
- Ausgabe der Signale Phase A, Phase B und Phase Z; Funktion zur invertierten Ausgabe der Phase B
- Platzsparendes BGA-Gehäuse, bleifrei
Specifications
Spezifikationen
| Position | Spezifikation |
|---|---|
| Prozess | 0,25 μm BiCMOS |
| Aufbau | Fotodetektor-Element, Verstärkerschaltung und Vervielfachungsschaltung auf einem Chip integriert |
| Vervielfachung | ×1/×2/×4/×8 (über externe Pins umschaltbar) |
| Maximale Auflösung | 2400 ppr |
| Ausgangssignale | Phase A, Phase B, Phase Z (mit invertierter Ausgabe der Phase B) |
| Auflösungseinstellung | EC1 bis EC4: beliebige Grundauflösung innerhalb der Ober- und Untergrenze / EC5: beliebige Auflösung über eine feste Maske |
| Gehäuse | BGA-Gehäuse (platzsparend), bleifrei |
Absolute Grenzwerte (preliminary)
| Position | Einheit | Grenzwert | Bemerkung |
|---|---|---|---|
| Versorgungsspannung | V | −0,5 bis 6,0 | |
| Eingangsspannung | V | −0,5 bis Vcc+0,5 | |
| Betriebstemperaturbereich | °C | −10 bis +70 | Ohne Betauung und Staub |
| Lagertemperatur | °C | 30 bis +80 | Ohne Betauung und Staub |
Elektrische und optische Eigenschaften (preliminary)
| Position | Symbol | MIN | TYP | MAX | Einheit | Bemerkung |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Versorgungsspannung | Vcc | 4,5 | 5,5 | V | ||
| Referenzpotenzial | Vref | 1/2 Vcc | V | Toleranz ±10 % | ||
| Analoge Eingangsfrequenz | fin | 100 | kHz | |||
| High-Ausgangsspannung | VOH | 4,5 | V | *1 | ||
| Low-Ausgangsspannung | VOL | 0,5 | V | *2 | ||
| Stromaufnahme | Icc | 20 | mA | |||
| Ausgangsphasenfehler | E | 12,5 | % | *3 | ||
| Empfindlichkeit | Vp | 1 | V | *4 | ||
| Maximaler Amplitudenbereich | Vpp | Gnd+1,0 | Vcc−1,3 | V | ||
| Power-on-Reset-Zeit | Tor | 2,5 | 4 | ms | *5 |
*1: 10 kΩ Pull-down
*2: 10 kΩ Pull-up
*3: Bei ×8-Vervielfachung. Gemessen mit einer über eine LED eingestrahlten 10-kHz-Sinuswelle und einem am Test-Pin eingespeisten elektrischen Signal (phasenverschobene Sinuswelle)
*4: Eingang A/A- oder B/B-, λ = 850 nm, bei Einstrahlung von Po = 2,5 μW
*5: Bei externem Kondensator von 0,033 μF
Hinweis: Absolute Grenzwerte, elektrische und optische Eigenschaften, dynamisches Diagramm und Abmessungen sind preliminary (vorläufig). Einzelheiten finden Sie im Katalog-PDF oder auf Anfrage.
Multiplier ICs
Vervielfachungs-ICs
Zur Erhöhung der Auflösung von Encodersignalen bieten wir Vervielfachungs-ICs in drei Ausführungen an: ×2, ×5 und ×10.
| Produkt | Auflösung | Offset-Kompensation | Gehäuse | Versorgungsspannung |
|---|---|---|---|---|
| ×2-Vervielfachungs-IC | Erhöht die Signalauflösung auf das Zweifache | Integrierte Kompensation der Offset-Komponente des Eingangssignals | Ultrakompaktes QFN-Gehäuse mit 4 mm Kantenlänge oder Chip | 5 V, 3,3 V |
| ×5-Vervielfachungs-IC | Erhöht die Signalauflösung auf das Fünffache | Integrierte Kompensation der Offset-Komponente des Eingangssignals | Ultrakompaktes QFN-Gehäuse mit 4 mm Kantenlänge oder Chip | 5 V, 3,3 V |
| ×10-Vervielfachungs-IC | Erhöht die Signalauflösung auf das Zehnfache | Integrierte Offset-Kompensation des Eingangssignals | Ultrakompaktes QFN-Gehäuse mit 4 mm Kantenlänge oder Chip | 5 V, 3,3 V |
Amplifier IC
Verstärker-ICs für Sensoren
- Frontend-Verstärker-IC (für Fotodioden): Muster verfügbar
- Frontend-Verstärker-IC (für Fotodioden-Arrays): Muster verfügbar
Applications
Anwendungen
- Empfangs- und Signalverarbeitungsteil optischer Encoder
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